很多人小時候都玩過一個遊戲。
過年的時候將鞭炮點燃，然後用一個盆蓋住鞭炮，但鞭炮炸的情況。
簡單的說，聚變堆就和這差不多，而第一壁材料，就是那個盆。
第一壁材料有兩個核心問題，高能中子輻照和以及高通量氘氚(等離子體轟擊。
在高能中子輻照方麵。
目前研究的基本上是最容易實現的D-T聚變：每個D-T聚變都會產生一個14.1 MeV的中子。由於中子不帶電，無法用磁場約束，會直接轟擊到第一壁材料上產生損傷。
每個D-T聚變都會產生一個14.1 MeV的中子。由於中子不帶電，無法用磁場約束，會直接轟擊到第一壁材料上產生損傷。
14.1 MeV是個很大很大的能量，要知道材料中束縛原子的都是各種化學鍵，其鍵能大約在1-10eV之間。
也就是說，一個14.1MeV的中子所攜帶的能量，足以破壞成百上萬個普通的化學鍵，這無疑會對材料造成難以恢複的損傷。
在聚變堆李，高能中子就像一顆顆射向材料的子彈，不斷的撞擊金屬原子，打斷其周圍的化學鍵，迫使原子離開原來的位置，從而破壞整的原子排布。
原子被擊跑了，原來的地方自然就留下一個空位，一個個這樣的坑在材料內部積累聚集起來，就變成了大的孔洞。
另外，被擊跑的原子並不會小時，而是會通過各種方式擴散到材料表麵上去。原子不斷的從中心往表麵轉移，材料就慢慢的像空心泡沫一樣腫脹起來，這種尺寸的變化對正常服役的材料是致命的。
除了輻照腫脹，中子輻照在材料中產生大量缺陷也會影響材料的力學性能，使得材料變硬、變脆、更容易斷裂，從而影響聚變堆的安全運行。
中子還會和材料進行核反應，改變材料的元素組成，例如金屬W就會變成Re、Os、Hf、Ta。
時間一長，材料的組成會變得和開始時完全不一樣，這對材料
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