第181章 177全新內存技術和芯片疊加(2/3)

品就是HMBSR內存技術,HMBSR是HBM內存技術的進化版。


HBM(High Bandwidth Memory)作為一種GPU顯存存在時,現在似乎已經不算罕見了。


很多人可能都知道HBM成本高昂,所以即便不罕見,也隻能在高端產品上見到它。


HBM的特點之一,也是以相比DDR/GDDR更小的尺寸、更高的效率(部分)實現更高的傳輸帶寬。


從傳輸位寬的角度來看,每層DRAM die是2個128bit通道,4層DRAM die高度的HBM內存總共就是1024bit位寬。


很多GPU、CPU周圍都有4片這樣的HBM內存,則總共位寬就是4096bit。


由此可見HBM在帶寬上具有著超高的吞吐量。


這樣內存要是用在手機上一定會給客戶帶來更好的效率。


隻是為什麽沒有人把它用在手機上?


那是不是因為貴,所以才沒有下放到消費級市場呢?


就算HBM內存再貴也不可能貴到哪裏去,幾百塊的成本消費者都是承受得起的。


消費者:我們是缺那幾百塊的人嗎?


實際上並不是的。


這其中有三個問題在裏麵。


第一個就是成本問題,雖然這個是小問題,但是廠家們不得不重視這個問題。


第二個問題技術手機cpu根本用不到這麽高帶寬的內存。


第三個問題就是HBM內存的延遲實在是太高了。


就因為這三個因素廠家們不得不放棄HBM內存。


曹莽所購買的HMBSR內存采用全新的設計,解決了HBM內存當前所有的問題。


更低廉的製造成本,更低的讀取寫入延遲。


曹莽購買的第二件產品就是kos存儲內存技術。


目前市麵上采用的都是emmc和usf這兩種內存。


eMMC目前是最當紅的便攜移動產品解決方案,目的在於簡化終端產品存儲器的設計。


由於NAND Flash芯片的不同廠牌包括三星、東芝或海力士、鎂光等,但設計廠商在導入時,都需要根據每家公司的產品和技術特性來重新設計,過去並沒有1個技術能夠通用所有廠牌的NAND Flash芯片。


這樣內存唯一的優勢就是便宜,它的缺點就是讀寫效率比較低。


本章尚未完結,請點擊下一頁繼續閱讀---->>>