第319章 335：降低芯片70製造成本(1/3)

第319章 335：降低芯片70%製造成本

NIL納米壓印設備在能耗方麵相比EUV可以降低90%。

同時由於轉換率更好研發成本更低，比EUV研發成本降低60%左右，所以納米壓印也被視為目前最有可能替代EUV實現7納米以下製程的一項主流的光刻技術。

既然納米壓印技術有如此多的優點，為何從1995年提出以來，至今已經發展了二十年，一直沒有實現真正的大規模應用呢？

主要有三大難點需要解決。

首先第一個難點就是模板製作問題，如果想要得到EUV光刻量級的加工精度，模板本身尺寸要做得非常小，模板的製備對於加工工藝要求極高，需要確保有非常完美的平整度和誤差。

同時納米壓印技術對於模板的材料選擇也是極為苛刻。

不僅需要有較高的強度、機械強度和抗腐蝕性，同時需要確保在高溫下非常小的膨脹係數，以做到反複印製的要求。

根據工藝要求不同目前有矽質模板、石英模板、鎳模板和聚合物、PDMS、複合模板等等。

第二個關鍵技術難點是在壓印膠方麵，與傳統光刻膠不同，NIL所需要的壓印膠，需要具有與基底良好的結合力、低粘黏度以順利完成整個脫膠過程。

同時需要收縮度小、塗覆性強等特點。

經過二十年的探索納米壓印膠還依然處於不斷探索和優化階段。

最後一個難點是在壓印和刻蝕設備方麵。

我們看出納米壓印方式與傳統光刻方式是走了一個截然不同的道路。

理想的情況需要整個壓印和刻蝕過程不能出現任何氣泡、變形、還有粘連情況。

對於塗膠的均勻度設備的穩定性都有很高的要求。

即使是非常細微的震動和機械誤差都會造成良品率大幅度下降。

特別是生產複雜結構的邏輯芯片，想要攻克加工偏差的問題，短期內是無法實現的。

想要擁有整套NIL納米壓印技術，就必須要購買相應配套技術才行。

除了NIL納米壓印設備以外，還需要購買壓印膠技術和刻蝕設備。

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